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最終更新日:2017.06.22

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半導体デバイスの基礎

半導体デバイスの基礎
立ち読み

A5/224ページ/2009年02月15日
ISBN978-4-254-22155-8 C3055
定価3,888円(本体3,600円+税)

浜口智尋 ・谷口研二 著

教科・科目 : 電気・電子工学

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紀伊國屋書店 旭屋倶楽部 東京都書店案内

集積回路の微細化,次世代メモリ素子等,半導体の状況変化に対応させてていねいに解説。〔内容〕半導体物理への入門/電気伝導/pn接合型デバイス/界面の物理と電界効果トランジスタ/光電効果デバイス/量子井戸デバイスなど/付録。[立ち読み]もご覧ください。

目次

第1章 半導体の物理 
1.1 半導体とは
1.2 結晶の周期性と格子振動 
1.3 半導体のエネルギー帯構造 
1.4 有効質量 
1.5 正孔の概念
1.6 電子統計 

第2章 電気伝導 
2.1 電流の担い手 
2.2 電子のドリフト運動と移動度
2.3 電子散乱の機構 
2.4 伝導電子の拡散 
2.5 キャリアの生成と再結合 
2.6 ホール効果 

第3章 pn接合型デバイス 
3.1 pn接合と電位障壁
3.2 少数キャリアの注入とpn接合の整流特性 
3.3 トンネルダイオード 
3.4 バイポーラトランジスタ 

第4章 界面の物理と電界効果トランジスタ
4.1 界面の物性
4.2 金属・半導体接合の電気的特性 
4.3 MOS構造の物理 
4.4 MOS構造の静電容量 
4.5 MOSFETの基本動作特性 
4.6 短チャネルMOSFET特有の問題点 
4.7 各種MOSFETの構造 
4.8 基板バイアス効果 
4.9 電荷転送素子(CCD) 

第5章 光電効果デバイス 
5.1 光吸収 
5.2 発光ダイオード(LED) 
5.3 半導体レーザ 
5.4 光検出デバイス 

第6章 量子井戸デバイス 
6.1 量子井戸とは 
6.2 二次元電子ガスの状態密度 
6.3 変調ドープと高電子移動度トランジスタ 
6.4 その他のヘテロ構造トランジスタ 
6.5 多重量子井戸レーザ

第7章 その他のデバイス 
7.1 ガンダイオード 
7.2 磁気センサ
7.3 量子ホール効果を用いた標準抵抗 

付 録 
A 電子散乱と緩和時間 
B 磁気抵抗効果 
C バリスティック伝導とランダウアー公式
D 捕獲と再結合(ショックレー・リードの統計)
E 誘導放出と分布反転 
F 遷移確率と吸収係数の導出 
G インパットダイオード 
H 圧力センサ 

参考文献 
索 引