1.　電子と正孔
　1.1　バンドとギャップ
　1.2　不純物
　1.3　金属との決定的相違
2.　電界・磁界と半導体
　2.1　電気伝導
　2.2　磁界の作用
　2.3　交流電界
　2.4　サイクロトロン共鳴
3.　電気抵抗の要因
　3.1　キャリア散乱と電気抵抗
　3.2　格子振動によるキャリアの散乱
　3.3　不純物によるキャリアの散乱
　3.4　DC測定との関係
　3.5　光照射の影響
　3.6　トラップと再結合中心
　3.7　サイクロトロン共鳴と電子散乱
4.　光学的性質
　4.1　直接遷移と間接遷移
　4.2　不純物とエクシトン
　4.3　磁界の効果
5.　接合とトランジスタ
　5.1　トランジスタとは
　5.2　トランジスタの誕生
　5.3　トランジスタの基礎
　5.4　いろいろなトランジスタ
6.　光電変換の原理と応用
　6.1　半導体の光物性
　6.2　光電効果
　6.3　光電効果を応用した半導体素子
　6.4　発光素子
7.　半導体テクノロジー
　7.1　半導体の製造
　7.2　半導体の精製
　7.3　結晶の成長
　7.4　より完全な結晶を目指して(エピタキシー)
　7.5　酸化物の形成
　7.6　化学堆積
　7.7　リソグラフィとパターン転写
　7.8　エッチング
　7.9　不純物の付加
　7.10　配線とパッケージング
8.　最近の新しいトランジスタ
　8.1　Ⅲ-Ⅴ化合物半導体ヘテロ構造
　8.2　高電子移動度トランジスタ(HEMT)
　8.3　ヘテロバイポーラトランジスタ(HBT)
　8.4　共鳴トンネリング・ホットエレクトロン・トランジスタ(RHET)
9.　ルミネッセンスと光散乱
　9.1　光吸収および発光の基本概念(フェルミの黄金津)
　9.2　バンド間遷移
　9.3　不純物準位とバンド間の光遷移
　9.4　ドナー・アクセプタ対発光
　9.5　深い不純物および格子欠陥による発光
　9.6　自由励起子
　9.7　励起子はひっつき虫？
　9.8　励起子ポラリトン
　9.9　非発光過程と半導体結晶評価
　9.10　光散乱過程
10.　アモルファスと超微粒子
　10.1　アモルファスとは
　10.2　超微粒子
11.　付　表
12.　文　献
13.　索　引